通过原位超高真空微纳电子器件加工集束系统、纳米四探针载流子输运测试与超高真空扫描探针系统。可提供高迁移率新沟道材料的能带测试、成分分析、结构形成与观测;可获得22nm后技术代微纳电子器件工作中原位结构变化及其室温下原子分辨率沟道图像,提供微纳电子器件根本工作机理,优化22纳米后技术代微纳电子器件制造工艺。