12英寸等离子体介质刻蚀技术、多台NikonASML 193纳米浸没式ArF激光光刻机、JEOL6300NBL5电子束直写系统。可提供65纳米到22n纳米下的完整图形曝光技术,保证65纳米、55纳米到28纳米下厚膜金属、介质、硅化物刻蚀的器件图形形成;可满足3222纳米栅刻蚀工艺需求;可匹配华力、中芯生产线进行先进高性能工艺、特殊工艺模块研发和新产品试制。